Transient Thermoelectric Effect in Quasi-Two-Dimensional η-Mo4O11 Crystal

Dynamic measurements of thermal diffusion of conduction carriers in quasi-two-dimensional η-Mo4O11 crystals which undergo charge-density-wave transitions are made over the temperature range 12 to 300 K and time range 50 ns to 2 ms using a pulsed laser-induced “transient thermoelectric effect (TTE)” technique. The light-generated TTE voltage decays exponentially with multiple relaxation times τi (i = 1 to 5), from which the nature of the Fermi surfaces of both electrons and holes is discussed based on recent tight-binding band calculations. Dynamische Messungen zur thermischen Diffusion von Ladungstragern im quasi-zwei-dimensionalen η-Mo4O11, das Ladungsdichtewellen-Ubergange zeigt, werden im Temperaturbereich 12 bis 300 K und im Zeitbereich 50 ns bis 2 ms mit Hilfe einer Laser-induzierten „transient-thermoelektrischer-Effekt (TTE)”-Technik durchgefuhrt. Die lichterzeugte TTE-Spannung fallt exponentiell mit mehreren Relaxationszeiten τi (i = 1 bis 5) ab, woraus die Art der Fermiflachen der Elektronen und Locher mit neueren Tight-Binding-Band-Berechnungen diskutiert wird.