Growth and characterization of epitaxial cubic boron nitride films on silicon.

On rapporte la croissance des films de nitrure de bore sur les faces (001) du silicium en utilisant la methode de l'ablation laser excimer pulse. La structure des films deposes, analysee par diffraction des rayons X et par microscopie electronique en transmission, est zinc-blende cubique. Ces films sont hetero-epitaxies avec les axes cubiques BN paralleles a Si . On trouve une mise en evidence d'une accomodation de reseau commensurable 3:2 non usuelle