Anomalous Hall-effect results in low-temperature molecular-beam-epitaxial GaAs: Hopping in a dense EL2-like band.

La conduction a temperature ambiante est due au saut (du second plus proche voisin) active, dans une bande de defaut profond de concentration 3×10 19 cm −3 , d'energie E c -0,75 eV, avec une conduction due aux porteurs de charge libres excites thermiquement a partir de cette bande