Capacitance characterization of AlN/GaN double‐barrier resonant tunnelling diodes
暂无分享，去创建一个
C. T. Foxon | H. Lüth | N. Klein | S. Vitusevich | S. Novikov | S. Danylyuk | A. Kurakin | A. Naumov | A. Belyaev
暂无分享，去创建一个
C. T. Foxon | H. Lüth | N. Klein | S. Vitusevich | S. Novikov | S. Danylyuk | A. Kurakin | A. Naumov | A. Belyaev