Gewachsene Siliziumstrukturen zum Kalibrieren von Messgeräten im nm-Bereich

Zusammenfassung Der Beitrag stellt die Ergebnisse eines Ringvergleiches zur Messung plateauartiger Nano-Strukturen auf einer gewachsenen Siliziumoberfläche mit verschiedenen taktilen und optischen Messgeräten vor. Die Strukturen sind Inseln mit einem Durchmesser von ca. 800 nm und einer Höhe von ca. 12 nm. Neben der vertikalen und horizontalen Ausdehnung können damit Auflösung, Sensoreigenschaften, Stufenhöhen und auf Grund des ideal ebenen Grundmaterials auch die Geradheiten von Führungsbahnen im Nanometerbereich kalibriert werden. Abstract The paper presents the result of a round robin test of the measurement of a naturally grown silicon plateau structure with optical and tactile measuring instruments. The silicon standard shows isles with a diameter of about 800 nm and a heigth of about 12 nm. Lateral and vertical dimensions, isles with changing distances, and a ideally flat surface as basic material allow the calibration of the sensor properties, the step height, the spacing, and the resolution as well as the guide straigthness.