Climb trails at dislocations in gadolinium gallium garnet (Gd3Ga5O12)

Optical micrographs of the surface of etched (111) wafers of Gd3Ga5O12 (or GGG) have revealed fine lines that emerge from dislocation etch pits. Features of the lines at long dislocations with large edge components, at dislocation loops and spirals, and at helical dislocations, indicate that the lines are formed because the material deposited at the dislocations during climb etches less rapidly than the surrounding GGG. This result is consistent with the suggestion that the climb of dislocations in GGG is promoted by a departure from the ideal chemical composition. Auf lichtmikroskopischen Oberflachenbildern von geatzten (111)-Plattchen aus Gd3Ga5O12 (oder GGG) wurden feine Linien beobachtet, die von Versetzungsatzgrubchen ausgehen. Einzelheiten solcher Linien in der Nahe von langen Stufenversetzungen, Versetzungsringen und Spiralen sowie Helix-Versetzungen deuten darauf hin, das sich diese Linien bilden, weil Material, das an den Versetzungen wahrend des Kletterns abgeschieden wird, langsamer angeatzt wird als das umgebende GGG. Dieses Ergebnis stimmt mit der Vorstellung uberein, das das Klettern von Versetzungen in GGG durch eine Abweichung von der idealen chemischen Zusammensetzung gefordert wird.

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