文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
Study of Dopant Redistribution at the Substrate-Source/Drain p-n Junction of Nanoscale MOSFET During Progressive Breakdown
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
K. Pey
|
C. Tung
|
D. Ang
|
V. Lo
|
W.T. Lim
保存到论文桶