Synthesis and Physical Properties of Semiconducting Amorphous V2O5

Ti-及びV-アルコキシドの混合物をエタノール溶液中で加水分解してTiO2を18mol%まで含有するTiO2-V2O5系の均一なゲルを得た. 乾燥ゲルの性状をTG-DTA, IR吸収スペクトル, X線回折の測定により検討した. 黒緑色ゲル中のVの還元イオン分率は湿式化学分析によれば約0.2であった. DTAによる結晶化温度は310℃以上で, TiO2濃度増加とともに上昇した. 260℃, 2時間熱処理すると, [H2O]/[V2O5] モル比約0.3-0.6の割合で水を含有する非晶質体が得られた. 浸漬法により厚さ0.3-10μmのコーティング膜をガラス基板上に作製した. TiO2 18mol%を含む厚さ数μmの膜は黄緑色透明であった. TiO2含有コーティング膜はTiO2を含まないものよりも密着性が良好であった. コーティング膜の直流導電率は室温で10-1-10-3ohm-1・cm-1で, TiO2濃度の増加とともに減少した. 非晶質体中のV4+, V5+はVO2, V2O5結晶中のV4+, V5+と同様6配位で, TiO2の添加による配位状態の変化は少なかった. 電気伝導機構は電子伝導と考えられた.