고속 광통신용 PIN - 전치증폭기 수광모듈 제작 및 특성 측정

단일모드 광섬유를 부착한 고속 광통신용 PIN-전치증폭기 모듈을 GaInAs PIN 광검출기와 GaAs 전치증폭기를 하이브리드로 집적하여 제작하였다. PIN 광검출기의 정전용량은 0.35 pF이었으며 이 소자의 수광직경은 20 ㎛였다. 제작된 수광모듈의 -3 dB 차단주파수는 2 ㎓ 이상이었으며, 2.5 Gbps NRZ (PRBS=2²³-1) 입력광신호에 대해 비트오율이 10^(-9)일 때 ~25.2 dBm의 수신감도를 보였다.