文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
Higher-Order Effect of Source–Drain Series Resistance on Saturation Drain Current in Sub-20 nm Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
A. Hiroki
|
Kazutoshi Kobayashi
|
J. Yoon
保存到论文桶