Transformer-Isolated Gate Driver with Power Supply for 1700V IGBT

최근 전력용반도체 모듈 시장이 발전함에 따라 고전압 제품 에 대한 수요가 증가하고 있다. 하지만 1700V급 이상의 고전압 용 IGBT 모듈을 구동하기 위한 게이트 드라이버의 경우 해외 의 제품은 단가가 매우 높은 것이 현실이다. 이에 따라 1700V 급 이상의 전력반도체 모듈용 게이트 드라이버를 손쉽게 구현 할 수 있도록 단가 경쟁력과 향상된 성능을 갖춘 게이트 드라 이버를 연구하게 되었다. 본 논문에서는 1700V급 이상의 전력 용반도체 모듈용 게이트 드라이버를 제작하고 각 부분의 파형 을 설명하였다.