Multi level cell programming method of non volatile memory device

본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 멀티 레벨 셀 프로그램 방법은 제1 검증대상 셀들 중 제1 검증전압이상으로 프로그램된 셀이 발생할때까지 프로그램 동작 및 제1 검증동작을 반복수행하는 단계와, 상기 제1 검증대상 셀들 중 제1 검증전압이상으로 프로그램된 셀이 발생한 경우 프로그램 동작 및 제1 검증동작을 제1 임계값 횟수만큼 반복수행하는 단계와, 상기 프로그램 동작 및 제1 검증동작의 수행 횟수가 상기 제1 임계값을 초과한 경우 상기 프로그램 동작, 제1 검증동작 및 제2 검증동작을 제2 임계값 횟수만큼 반복수행하는 단계와, 상기 프로그램 동작, 제1 검증동작 및 제2 검증동작의 수행 횟수가 상기 제2 임계값을 초과한 경우 상기 프로그램 동작, 제1 검증동작, 제2 검증동작 및 제3 검증동작을 반복수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 다. 블라인드 검증, 검증동작, 멀티 레벨 셀 프로그램