On the Angular Dependence of Sputtering and Kinetic Electron Emission of Single Crystals

The dependence of the sputtering yield K on the angle of incidence ϕ is calculated for single crystals by taking into account multiple collisions of the ions with atoms of the crystal. The secondary collisions increase the maxima of the curve K(ϕ) but do not alter the form of the minima. The effect of lattice defects on the function K(ϕ) is also considered. These defects mainly alter the minima in K(ϕ) and on the whole decrease the anisotropy of the sputtering yield. Electron emission from single crystals due to ion bombardment is treated in a similar way assuming a kinetic emission mechanism. Unter Berucksichtigung von Mehrfachstosen von Ionen mit den Atomkristallen wird fur Einkristalle die Abhangigkeit der Zerstaubungsausbeute K in Abhangigkeit vom Einfallswinkel e berechnet. Sekundarstose ergeben ein Ansteigen der Maxima der Kurve K(e), andern aber nicht die Minima von K. Der Einflus von Gitterstorungen auf die Abhangigkeit K(e) wird ebenfalls berucksichtigt. Diese Defekte verandern hauptsachlich die Minima von K(e) und verringern die Anisotropie der Zerstaubungsausbeute. In ahnlicher Weise wird Elektronenemission durch Ionenbombardement aus den Einkristallen auf der Grundlage eines kinetischen Emissionsmechanismus behandelt.