전기적/광학적 특성 향상을 위한 대면적 GaN LED 전극패턴 최적화

본 논문에서는 기존의 GaN LED 전극패턴이 갖는 전류의 집중현상 및 소자 내 발열문제를 최소화하고 전기적ㆍ광학적 특성의 향상을 위하여 풍차모양과 팔각형 comb 타입 전극패턴을 제안하였고, 3차원 시뮬레이션을 통하여 검증하였다. LED 칩의 전체 면적 대비 전극의 면적 및 패드와 보조전극의 위치 최적화를 통하여 350 ㎃의 전류주입 하에서의 동작전압이 약 0.4 V 정도 감소되는 전기적 특성의 향상을 확인하였고, InGaN/GaN 활성층에서 생성된 광의 추출효율 및 radiation 특성 또한 향상되는 것을 확인하였다.