文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
Large-size (1.7 × 1.7 mm2) β-Ga2O3 field-plated trench MOS-type Schottky barrier diodes with 1.2 kV breakdown voltage and 109 high on/off current ratio
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
H. Miyamoto
|
K. Sasaki
|
Fumio Otsuka
|
A. Takatsuka
|
A. Kuramata
|
S. Kunori
保存到论文桶