论文信息 - VI3—a New Layered Ferromagnetic Semiconductor - 字舞流文

VI3—a New Layered Ferromagnetic Semiconductor

R. Cava | R. Prozorov | Karoline Stolze | T. Kong | J. Tao | E. Timmons | S. Guo | Zoë S. Yang | D. Ni | Shu Guo