Electron-LO-phonon scattering rates in semiconductor quantum wells.

Calcul des vitesses de diffusion pour un electron interagissant avec des phonons optiques dans un puits quantique semiconducteur, base sur une approche de dynamique reticulaire microscopique pour les phonons. On emploie une approximation analytique des resultats de dynamique reticulaire donnes par Huang et Zhu pour les phonons de puits quantique. Les vitesses de relaxation electronique resultantes sont comparees a celles obtenues en employant les modes de phonons «en plaques» et «guides» qui etaient utilises dans les etudes anterieures. Les vitesses de relaxation electronique intra-sous-bande et inter-sous-bande sont donnees en fonction de la largeur du puits quantique, et les contributions relatives des modes confines et des modes interfaciaux sont discutees pour les trois modes differents de phonons