The recrystallization of gold is investigated by electrical resistivity measurements and checked with photomicographs. The influence of irradiation with 4 Me V α-particles at different temperatures and flux densities is studied. Between 100 to 150°C the recrystallization of Au (purity 99.96%) is enhanced during irradiation. With increasing irradiation dose the enhanced reaction rate is overcompensated by a strong retardation of the grain growth. The enhancement is attributed to radiation-induced diffusion, the retardation to barrier pinning of dislocations, and grain boundaries.
Der Verlauf der Rekristallisation von kaltgewalztem Gold wird mit elektrischer Widerstandsmessung und mikroskopischen Gefugeaufnahmen verfolgt. Untersucht wird der Einflus von Bestrahlung mit 4 Me V α-Teilchen bei verschiedenen Temperaturen und Flus-dichten. Bei Bestrahlungstemperaturen von 100 bis 150°C wird (bei Gold von 99,96% Reinheitsgrad) eine Beschleunigung des Reaktionsablaufs beobachtet, die der strahlungsstimulierten Diffusion zugeschrieben wird. Der erhohten Reaktionsgeschwindigkeit wirkt eine mit der Strahlungsdosis rasch zunehmende Behinderung des Kornwaschstums entgegen; diese Beobachtung wird darauf zuruckgefuhrt, das strahlungsbedingte lokalisierte Hindernisse wandernde Versetzungen und Korngrenzen blockieren.
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