Laser Annealing of Silicon Wafers at 10.6 μm

A set of preliminary experiments are performed which suggest the feasibility of annealing implanted silicon wafers using pulsed CO2 laser radiation. This rapid annealing process does not lead to significant diffusion of the implanted species compared to that observed with thermal annealing. For phosphorus implanted silicon, electrical measurements show conversion to n-type with sheet resistance and crystal structure comparable to thermally annealed wafers. Ein CO2 Laser wird zum „Tempern” ionenimplantierter Siliziumscheiben verwendet. Vorlaufige experimentelle Ergebnisse weisen darauf hin, das diese Methode ein relativ schnelles „Tempern” der implantierten Elemente ohne Diffusion, die normalerweise bei thermischen Methoden eintritt, ermoglicht. Elektrische Messungen ergeben, das zum Beispiel bei Silizium implantiert mit Phosphor, n-dotierte Schichten mit einer Kristallstruktur und einem Widerstandswert entstehen, vergleichbar mit Ergebnissen, die mit normalen thermischen Methoden erzielt werden.