10 Gb/s 급 광통신용 1.55 ㎛ SI - PBH DFB - LD의 제작 및 특성연구

2단계 메사 식각 공정과 유기 금속 화학 증착방법으로 높은 비저항을 갖는 Fe-도핑된 반절연 InP층의 전류 차단층을 갖는 10 Gb/s 광통신용 초고속 1.55 ㎛ 궤환형 반도체 레이저 다이오드를 제작하였다. 제작된 DFB-LD의 특성은 발진 임계전류 ~15 ㎃, slope efficiency ~0.13 ㎽/㎃, 동 저항 ~6.0 Ω이었고, 발진 파장은 1.546 ㎛이며, 6 Ith 까지의 전류에도 인접 모우드 억압비, SMSR＞40㏈ 이상 (CW 상태) 으로써 안정된 단일 모우드 동작을 보였다. DFB-LD의 소신호 주파수 특성으로 27 ㎃의 작은 구동전류에서 이미 -3㏈ 대역폭이 10 ㎓에 도달하였음을 보여주었고, 또한 최대 -3 ㏈ 대역폭으로 구동 전류 90 ㎃에서 ~18 ㎓까지 얻는 우수한 소신호 주파수 특성을 보여주었다. 10 Gb/s DFB-LD 모듈 전송시험에 있어서, 1.55 ㎛ 파장의 레이저 다이오드 모듈로 일반 단일모우드 광섬유와 분산천이 광섬유에 대해서 전송시험한 결과 에러평탄면 (error floor) 없이 각각 10 ㎞, 80 ㎞를 전송할 수 있었다.