Energy-loss rates of two-dimensional electrons at a GaAs/AlxGa1-xAs interface.

On utilise les oscillations a champs faibles de l'effet de Haas-Shubnikov dans la resistivite afin de determiner les temperatures des electrons d'un gaz d'electrons bidimensionnel soumis a divers courants de chauffage. Le debut de l'occupation de la seconde sous-bande est clairement reflechi dans une grande augmentation des rapports de perte d'energie. Les variations en fonction de la temperature et de la densite des electrons sont bien reproduites par des calculs numeriques utilisant les valeurs du potentiel de deformation et les parametres de couplage piezoelectrique