자연산화 Al₂O₃ 장벽층을 갖는 스핀의존 터널링 접합에서 자기저항특성의 접합면적 의존성

자연산화 Al₂O₃층이 형성된 하부형태 터널링 자기저항 다층박막이 기본진공도 10^(-9) Torr을 유지하는 UHV 챔버내에서 이온빔 스퍼터링과 dc 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착되었다. 제작된 스핀의존터널링(SDT) 접합소자의 최대 터널링자기저항(TMR)와 최소 접합저항과 면적곱(R_JA)은 각각 16~17 %와 50~60 Ωμ㎡이었다. 자기장하에서 열처리한 SDT접합에 대한 TMR 향상과 R_JA이 감소하는 의존성이 관찰되었다. 이러한 현상을 하부층 단자의 판흐름 저항값 의존효과와 스핀채널효과로 설명하였다.