A New Silicone‐Based Negative Resist (SNR) for Two‐Layer Resist System
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Synthese du produit pour la fabrication d'une couche de resist negatif dans un systeme de resist a 2 couches par chloromethylation d'un oligomere de diphenylsiloxane avec polymerisation simultanee. La resistance a l'attaque des faisceaux moleculaires de O 2 , a la gravure ionique reactive, est excellente grâce a la chaine principale de siloxane et la haute resolution et haute sensibilite relatives aux faisceaux d'electrons, rayons X et rayonnement UV sont dues aux groupes chloromethyl reticulants. La temperature elevee de la transition vitreuse (150°C) due a la structure diphenyle contribue a ameliorer la resolution et elimine les problemes lithographiques poses par les resines de silicone courantes a bas T g . On realise des traces de dimensions inferieures au micron