Monte Carlo study of the transient expansion of photogenerated plasmas in bulk semiconductors: Nonequilibrium phonon effects.

Ces effets sont etudies par technique Monte Carlo et pour une energie de photoexcitation elevee. On inclut pour la premiere fois leurs dependances vis-a-vis du temps et de l'espace. On donne des calculs specifiques en regime de la picoseconde pour InP. Les phonons hors equilibre augmentent de facon significative l'expansion du plasma electron-trou au cours des premieres picosecondes et modifient les profils de distribution des porteurs