Generation mechanism of photoinduced paramagnetic centers from preexisting precursors in high-purity silicas.

Des echantillons de silice synthetises par des methodes variees sont etudies par RPE apres avoir ete irradies par un laser a excimere ArF (6,4 eV) a la temperature ambiante. Les centres E'(≡Si) sont introduits dans tous les echantillons, tandisque de centres de troncs d'oxygene non pontes (≡Si-O°) n'apparaissent que dans la silice ayant de l'oxygene en exces et dans un echantillon presentant une bande d'absorption a 5,1 eV. La concentration des centres E' varie d'un echantillon a l'autre, s'etendant de 10 14 a 10 16 spins/cm 3 pour une exposition a une densite de puissance moyenne de 28 mJ/cm 2 par impulsion a 15 Hz pendant 1 h. La dependance avec l'echantillon, en considerant les especes et les concentrations des defauts photoinduits, est expliquee en termes de transformation des precurseurs pre-existants en defauts paramagnetiques par un processus d'absorption a deux photons