论文信息 - 6 W InGaAsSb(Gd)/InAsSbP double-heterostructure diode lasers emitting at λ=3.3 μm - 字舞流文

6 W InGaAsSb(Gd)/InAsSbP double-heterostructure diode lasers emitting at λ=3.3 μm

N. Zotova | J. Meyer | W. Bewley | J. Lindle | B. Matveev | M. Remennyi | N. Stus' | M. Aydaraliev | S. Karandashov | G. Talalakin | J. Meyer