120-nm-T-shaped-Mo∕Pt∕Au-gate AlGaN∕GaN high electron mobility transistors
暂无分享,去创建一个
Y. Yamashita | T. Mimura | S. Hiyamizu | K. Ikeda | A. Endoh | T. Matsui | K. Hikosaka | M. Higashiwaki
暂无分享,去创建一个
Y. Yamashita | T. Mimura | S. Hiyamizu | K. Ikeda | A. Endoh | T. Matsui | K. Hikosaka | M. Higashiwaki