Dynamics of inter- and intra-growth-island exciton localization in GaAs single quantum wells.

Le comportement dans le temps de la transition excitonique est une consequence directe de la localisation de l'exciton dans le plan, due au transfert d'exciton. Ces comportements dans le temps sont fortement dependants de l'energie d'emission aux basses temperatures. Cette dependance disparait quant les excitons sont delocalises et deviennent mobiles par activation thermique