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Integration of SiGe HBT with $\text{f}_{\text{T}}=305\ \text{GHz},\ \text{f}_{\max}=537 \text{GHz}$ in 130nm and 90nm CMOS

K. Aufinger | S. Boguth | D. Manger | C. Hengst | C. Dahl | W. Liebl | B. Binder | A. Pribil | J. Oestreich | S. Rohmfeld | S. Rothenhaeusser | D. Tschumakow | J. Boeck