Gigantic magnetoresistive effect in n-Si/SiO2/Ni nanostructures fabricated by the template-assisted electrochemical deposition

The study of the carrier transport and magnetotransport in n-Si/SiO2/Ni nanostructures with granular Ni nanorods embedded into the pores in SiO2 was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction up to 8 T. In n-Si/SiO2/Ni nanostructures at temperatures of about 25 K a huge positive MR effect is observed. Possible mechanisms of the effect is discussed. Streszczenie. Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ladunkow i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze okolo 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omowiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia sie opisanego efektu. (Gigantyczny efekt magnetorezystywności w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni wytworzonych przy uzyciu metody nanoszenia elektrochemicznego).