Image sensor with improved light sensitivity and fabricating method of the same

본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 단위 화소에서의 포토다이오드 면적을 크게 하여 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 제1도전형의 반도체층; 상기 반도체층 내에 상기 반도체층 표면으로부터 확장되어 제1깊이로 형성된 이웃하는 다수의 제1도전형의 채널스탑영역; 및 상기 반도체층 표면으로 부터 제2깊이로 형성되며, 상기 이웃하는 채널스탑영역에 일측과 타측이 각각 접하는 포토다이오드를 포함하는 이미지센서를 제공한다. 또한, 본 발명은 제1도전형의 반도체층 내부에 상기 반도체층 표면과 접하도록 제1깊이로 이웃하는 다수의 제1도전형의 채널스탑영역을 형성하는 단계; 상기 반도체층 내에 제2깊이로 제2도전형의 포토다이오드용 제1불순물 영역을 형성하되, 그 일측과 타측이 각각 상기 이웃하는 채널스탑영역에 접하도록 하는 단계; 상기 이웃하는 채널스탑영역 사이의 상기 반도체층 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 반도체층 내의 상기 제1불순물 영역 상에 상기 채널스탑영역과 일측이 접하고 그 타측이 상기 게이트전극의 일측에 얼라인되도록 제2도전형의 포토다이오드용 제2불순물 영역을 형성하는 단계; 및 상기 제2불순물 영역 상부의 상기 반도체층과 접하는 계면에 제1도전형의 포토다이오드용 제3불순물 영역을 형성하는 단계포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다. 포토다이오드, 광감도, 채널스탑영역, 플로팅 센싱 노드.