2.5Gbps 광통신용 InGaAs Separate Absorption Grading Multiplication (SAGM) Avalanche Photodiode의 제작 및 특성분석

2.5 Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication Avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과, Br: Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 APD는 10 ㎁ 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 APD를 GaAs FET hybrid 전치증폭기와 결합하여 2.5 Gbps 속도에서 2²³-1의 길이를 갖는 입력 광신호에 대해 10^(-10) Bit Error Rate에서 -31.0 dBm의 수신감도를 얻었다.