Chromium as a Diffusion Barrier Between NiSi , Pd2Si , or PtSi and Al

On demontre que l'instabilite thermique observee dans les diodes a barriere Schottky formee par une couche de Al sur NiSi, Pd 2 Si, PtSi en contact avec peut etre supprimee par un depot d'une couche de chrome de 1000-2000 A d'epaisseur entre Al et le siliciure. Il est possible d'evaporer Ni, Pd, ou Pt, Cr, successivement, puis Al, et de recuire pour former le siliciure de contact et fritter le contact Al. Le recuit isochrone de 30 min a 350-500°C montre que la barriere tient electriquement jusqu'a 450°C et ne cede qu'a 500°C. Les mesures de caracteristique courant-tension sens direct donnent la hauteur de la barriere, et on obtient les profils d'elements par retrodiffusion. L'efficacite de la barriere de chrome depend des conditions du depot