Concept of Force Variation Due to Charged Defects in Elemental and Compound Semiconductors

Green's function calculations of force variation due to charged impurities in elemental and compound semiconductors are analysed on the basis of simple physical arguments. It is strongly suggested that the trends of force variation may not be related with the long range Coulomb interactions, however, the important criteria should be the effect of electric field of charged impurity on its nearest neighbour bonds that mainly affects the short range couplings. Some new experimental results by i.r. method due to Si and Cl impurities in CdTe are also included that lend additional justification to the arguments. Rechnungen mittels Greenscher Funktion fur die Kraftanderung infolge geladener Storstellen in Element- und Verbindungshalbleitern werden auf der Grundlage von einfachen physikalischen Argumenten analysiert. Es wird angenommen, das die Trends der Kraftanderungen nicht mit langreichweitigen Coulombwechselwirkungen verknupft zu sein brauchen, das jedoch das wesentliche Kriterium der Einflus des elektrischen Feldes der geladenen Storstelle auf die Bindung seiner nachsten Nachbarn sein sollte, der hauptsachlich die kurzreichweitige Kopplung beeinflust. Einige neue experimentelle Ergebnisse durch IR-Methoden von Si- und Cl-Storstellen in CdTe werden ebenfalls angegeben, die eine zusatzliche Rechtfertigung fur die Argumente liefern.