Effects of thermal annealing in air on VE, COD and CAD PbSe films

Structural, optical, and electrical properties of PbSe films prepared by chemical “organic” (COD) and “anorganic” (CAD) deposition and by vacuum evaporation (VE) techniques are investigated in the initial state and during thermal annealing in air (TA). The effects of TA on crystalline structure and on the phase composition of the films are analysed. The presence of PbSeO3 explains most of the changes produced by TA in the transmission and reflection spectra and in the resistivity- temperature behavior of the films. No important differences are found between the fundamental properties of the three types of films and their behavior during TA, this suggesting the possible use of CAD-PbSe films as IR sensors. Die strukturellen, optischen und elektrischen Eigenschaften von PbSe-Schichten, die mittels chemischer, organischer “(COD) und, anorganischer” (CAD) Abscheidung und Vakuumauf- dampf (VE)-Technik hergestellt werden, werden im Ursprungszustand und wahrend ther- mischer Ausheilung in Luft (TA) untersucht. Der Einflus der TA auf die kristalline Struktur und die Phasenzusammensetzung der Schichten wird analysiert. Die Anwesenheit von PbSeO3 erklart die meisten anderungen, die durch TA im Transmissions- und Reflexionsspektrum und im Widerstands-Temperatur-Verhalten der Schichten hervorgerufen werden. Keine wesentlichen Unterschiede werden zwischen den Grundeigenschaften der drei Schichttypen und ihrem Verhalten wahrend der TA gefunden, was auf eine mogliche Benutzung der CAD-PbSe-Schichten als IR-Sensoren hinweist.