文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
The structure of InAlGaN layers grown by metal organic vapour phase epitaxy: effects of threading dislocations and inversion domains from the GaN template
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
P. Ruterana
|
M. Morales
|
A. Minj
|
M. Chauvat
|
P. Gamarra
|
C. Lacam
|
H. Ben Ammar
保存到论文桶