본 논문에서는 IPM(Intelligent Power Module)의 작동에 있어서 효율의 향상을 위한 스너버 회로 사용의 효과에 대하여 살펴본다. 고속 스위칭을 행하는 IPM에서 턴 온시에는 다이오드 역회복 특성에 의해 전류 오버슈트가 생기고, 턴 오프시에는 IGBT내부의 잔류 커패시턴스에 의해 서지전압이 생긴다. 이런 전류 맥동 및 서지전압은 IPM의 손실요인이 된다. 따라서 스너버 사용으로 이런 손실요인을 제거할 수 있음을 보이고 실험을 통해 고찰해 본다.