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Change in band configuration of In0.57Ga0.43As1-xSbx/AlAs0.48Sb0.52In0.57Ga0.43As1-xSbx/AlAs0.48Sb0.52 quantum wells from type-II to type-I by increasing Sb composition x
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N. Yamamoto
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K. Akahane
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S. Gozu
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N. Ohtani
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A. Ueta
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