GaN power MOSFET를 이용한 DC-DC 컨버터

본 논문에서는 GaN power MOSFET을 이용한 DC-DC 컨버터에 대해 논하였다. GaN power MOSFET 소자는 기존의 Si power MOSFET에 비해 낮은 R ds(on) 과 게이트 전하 Q g 라는 우수한 특징을 가지고 있다. 이러한 우수한 특징을 살리기 위하여 이 GaN power MOSFET를 비대칭 하프 브릿지 DC-DC 컨버터에 적용하였다. 입력전압 50V, 출력전력 25W(5V/5A)의 컨버터를 제작하여 실험했으며, 기존의 Si power MOSFET를 이용한 컨버터와의 특성 비교를 위해 동일한 사양의 비대칭 하프 브릿지 DC-DC 컨버터를 동시에 제작하여 실험했다. 실험한 결과 GaN을 적용한 컨버터의 경우 기존의 컨버터 보다 최대 효율로서 7%가 개선됨을 입증하였다.