Analysis of Point Defect States in Copper I. The Influence of the Point Defect State on the Irradiation Damage Rate at 80 °K

The present measurements of the irradiation damage rate at 80 °K and those from the literature demonstrate the validity of the unsaturable trap model of Walker for copper over a wide range of trap concentrations and radiation induced defects. These results imply the free migration of interstitials below 80 °K. By damage rate measurements at 80 °K effective concentrations of vacancies and interstitial traps introduced by any pretreatment can be determined. Messungen der Schadigungsrate bei 80 °K aus der Literatur sowie eigene Messungen zeigen, das das Modell der unsattigbaren Senken von Walker fur Kupfer in einem weiten Konzentrationsbereich der Haftstellen und strahlungsinduzierten Defekte gilt. Das Modell basiert auf der freien Wanderung von Zwischengitteratomen unterhalb 80 °K. Durch Messungen der Schadigungsrate bei 80 °K konnen effektive Konzentrationen von Leerstellen und Zwischengitteratom-Haftstellen bestimmt werden, die durch beliebige Vorbehandlungen erzeugt wurden.