Magnetoresistance and Hall effect near the metal-insulator transition of n-type Cd0.95Mn0.05Te.

Les resultats de ces mesures montrent que la concentration en porteurs de charge a la transition metal-isolant est d'environ 2×10 17 cm −3 , en accord avec la prediction de Mott. Dans des champs H<80 kOe, la resistivite decroit tout d'abord avec H, puis passe par un maximum, pour finalement decroitre. Attribution de la magnetoresistance aux champs magnetiques relativement faibles aux mecanismes associes a la decomposition par le spin