자기저항소자의 바이어스용 Co82Zr6Mo₁₂ 박막의 구조 및 전자기적 특성에 미치는 자장 중 열처리의 영향

RF-마그네트론 스퍼터법으로 제조된 200~1200 Å의 Co_(82)Zr_6Mo₁₂박막을 회전자장 중에서 열처리할 때 박막의 미세구조 및 표면형상의 변화에 따른 전자기적 특성을 조사하였다. 박막의 두께가 증가할 수록 보자력은 감소하는 경향을 보였으나, 포화자화 값의 변화는 나타나지 않았다. 열처리 온도가 300 ℃까지 증가함에 따라 보자력은 박막내부 잔류응력의 감소 및 표면조도의 감소로 인해 감소하였고, 400 ℃에서는 부분적인 결정립성장에 의해 증가하였다. 포화자화 값은 열처리 온도 200 ℃까지 변화를 보이지 않고, 300 및 400 ℃에서는 7.4 kG에서 8.0 kG로 증가하였는바, 이는 박막내의 미세 Co 입자의 석출 및 성장에 기인하였다. 전기비저항은 열처리 온도가 증가함에 따라 감소하였으며, 자기저항값은 거의 0 ㎝에 가까운 음의 값을 보였다. 주파수 변화에 따른 박막의 유효투자율은 300 ℃ 열처리시 1200으로 최대값을 나타났다. 이상에서 박막을 실제적인 자기저항 헤드의 바이어스 층으로 응용을 고려시, 최적 열처리조건은 400 Oe의 회전자장 중 300 ℃에서 1시간 열처리할 때로 나타났다.