Coulomb barriers and adsorbate effects in scanning tunneling microscopy.

Meme en ultra-vide, la plupart des surfaces etudiees par microscopie a effet tunnel a balayage sont recouvertes par des adsorbats contenant des etats localises. Ces etats localises presentent de tres petites capacitances effectives, responsables de la formation d'une barriere de Coulomb lorsque le courant d'effet tunnel augmente. Cet effet est mis en evidence par observation des caracteristiques intensite-potentiel d'echantillons de Nb et Au observes avec des pointes de W