Capacitance transient study of a bistable deep level in e−-irradiated n-type 4H–SiC
暂无分享,去创建一个
A. Henry | E. Janzén | J. Isoya | N. Morishita | H. Pedersen | C. Hemmingsson | F. C. Beyer | T. Ohshima | E. Janzén
暂无分享,去创建一个
A. Henry | E. Janzén | J. Isoya | N. Morishita | H. Pedersen | C. Hemmingsson | F. C. Beyer | T. Ohshima | E. Janzén