文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
The electrical-interface quality of as-grown atomic-layer-deposited disordered HfO2 on p- and n-type silicon
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
K. Kukli
|
J. Barbolla
|
J. Aarik
|
A. Aidla
|
H. Castán
|
H. García
|
S. Dueñas
保存到论文桶