Untersuchungen über die energetische Verteilung der Haftsteller für Defektelektronen in Anthracenkristallen

Beim Anlegen einer Spannung stellt sich in einem Anthracenkristall eine raumlich unsymmetrische Besetzung der Haftstellen mit Defektelektronen ein. Beim Abschalten des Feldes entsteht deshalb ein Ruckstrom. Seine Zeitabhangigkeit liefert Informationen uber die beteiligten Haftstellen. Es wird gezeigt, das energetisch benachbarte Haftstellen fur Defektelektronen existieren mussen (Energieabstand ca. 0,01 eV), deren Dichte exponentiell mit der Energie abnimmt. Numerische Abschatzungen fuhren zu dem Schlus, das diese Haftstellenverteilung mit der fruher als kontinuierlich postulierten exponentiellen Verteilung identisch ist. Application of an external field gives rise to an unsymmetrical occupation of hole traps in the volume of an anthracene crystal, causing a reversed current to be observed when the field is switched off. The time dependence of this current yields information about the traps involved. It is shown that hole traps must exist with small energetic distances of about 0.01 eV and density decreasing exponentially with energy. From the numerical results it is concluded that this trap distribution agrees with the former postulate of a continous exponential distribution.