Thermodynamische Behandlung von Elektronenprozessen in Halbleiter-Randschichten

ZusammenfassungIn der Berührungszone zwischen einemp- und einemn-Halbleiter treten bei Störung des thermodynamischen Gleichgewichts änderungen der Leitungsträgerkonzentration auf. Diese Konzentrationen können durch eine Verteilungstemperatur beschrieben werden, die weder mit der Gittertemperatur noch mit der Elektronentemperatur identisch ist. Unter der Voraussetzung, daß auf diese Verteilungstemperatur der 2. Hauptsatz anwendbar ist, lassen sich allgemeine Aussagen über die Vorgänge inp-¬-Randschichten gewinnen. Als Anwendung des Prinzips werden die Umwandlung von Strahlungsenergie in elektrische Energie in einem Photoelement und die Gleichrichtung behandelt.