Analysis for steady state field effect measurements on a‐Si:H Films

It is shown that such detailed structures as the Ex and Ey peaks in N(E), the density of gap states, can theoretically be distinguished by the field effect technique. However the zero temperature approximation smoothes out almost all of the detailed structures of N(E). It also proves that, for an n-type sample, different choices of the parameters concerned, as well as systematic errors, have in a certain range little influence on the derived Ex peak. Random errors, however, even whose absolute values are less than 1% in the conductance G or less than 5% in the space charge differential capacitance Csc may cause the derived N(E) to fluctuate seriously, i.e., to yield spurious peaks. Es wird gezeigt, das sich ausgepragte Strukturen, wie die Ex- und Ey-Maxima in N(E), der Dichte der Gapzustande, theoretisch durch Feldeffekttechnik unterscheiden lassen. Jedoch glattet die Null-Temperaturnaherung fast alle detailierten Strukturen von N(E). Es wird ebenfalls uberpruft, das fur eine n-leitende Probe sowohl unterschiedliche Wahl der Parameter als auch systematische Fehler in einem bestimmten Bereich nur einen geringen Einflus auf das abgeleitete Ex-Maximum haben. Zufallige Fehler jedoch, sogar solche deren absolute Werte weniger als 1% der Leitfahigkeit G oder weniger als 5% der differentiellen Raumladungskapazitan Csc betragen, konnen betrachtliche Fluktuationen des abgeleiteten N(E)-Verlauf verursachen, d. h. unechte Maxima ergeben.