Optical and Electrical Properties of RF-Sputtered Indium-Tin Oxide Films

The electrical and optical properties of two series of RF-sputtered In2O3/SnO2 films are investigated. One series is sputtered onto substrates which are held at room temperature and the second series onto substrates heated to 300°C. The oxygen partial pressure of the sputter gas is varied from 1 × 10−3 to 0.1 Pa in both the cases. The analysis of the optical measurements shows that the films are optically inhomogeneous and that this inhomogeneity depends on both, the substrate temperature and the oxygen partial pressure during the deposition. The behaviour of the absorption coefficient near the fundamental absorption edge suggests that there are three different transition energies for electrons, which depend on the oxygen pressure during the preparation. As a result of the optical measurements some information about the band structure of In2O3 is obtained. Die elektrischen und optischen Eigenschaften von zwei In2O3-Schichtserien werden untersucht. Eine Serie wird auf unbeheizte Substrate gesputtert, die andere auf 300°C heise Substrate. In beiden Fallen wird der Sauerstoffpartialdruck des Sputtergases im Bereich von 1 × 10−3 bis 0,1 Pa variiert. Eine Analyse der optischen Messungen zeigt, das die Schichten optisch inhomogen sind und das diese Inhomogenitat sowohl von der Substrattemperatur, als auch vom Sauerstoffpartialdruck bei der Praparation abhangt. Die Absorptionskante zeigt drei verschiedene Ubergangsenergien fur Elektronen, die vom Sauerstoffdruck bei der Herstellung abhangen. Die Ergebnisse der optischen Messungen lassen Ruckschlusse auf die Bandstruktur von In2O3 zu.