Untersuchungen des Fließbereichs neutronenbestrahlter Kupfereinkristalle III. Die charakteristischen Größen der Gleithindernisse, insbesondere die Aktivierungsenergie†

Die experimentellen Ergebnisse zweier vorangegangener Arbeiten werden zu einem moglichst geschlossenen, quantitativen Bild des Fliesbereichs n-bestrahlter Cu-Einkristalle ausgewertet. Eine nahere Untersuchung verschiedener Parameter, insbesondere der Fehlerdichte NZ, ermoglicht die Bestimmung der Aktivierungsenergie U0, die sich fur den Potentialverlauf nach Seeger zu 2,6 eV fur nichtangelassene Kristalle (2 × 1018 nvt) bei Zimmertemperatur ergibt. Mit dem Anlassen nimmt U0 langsam zu, bei unseren Experimenten auf etwa 3 eV. Fur starker angelassene Proben ist dabei von einer in Teil I angegebenen Formel auszugehen, die im einzelnen begrundet wird. Folgerungen uber den Potentialanstieg der Gleithindernisse werden gezogen, und der Temperaturgang der Aktivierungsenergie wird diskutiert. Im Anhang werden verschiedene Potentialansatze aufgefuhrt und eine erweiterte Beziehung zwischen Versetzungsbogenlange und wirkender Spannung abgeleitet. The experimental results of two preceding papers allow a quantitative analysis to be made of the yield region of n-irradiated Cu single crystals. A study of the different parameters, especially the density of radiation-induced defects, leads to the activation energy U0. With Seeger's potential, U0 is found to be 2.6 eV for unannealed crystals (2 × 1018 nvt) at room temperature, annealing increases U0 slowly to about 3 eV. For the higher annealed specimens, a new formula is required and this given in part I, and is investigated here in detail. The slope of the defect potential and the temperature dependence of the activation energy are discussed.